Karbur tas-Silikon ta 'Grad Semikonduttur - Insaħħu l-Futur
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ Ω·cm, Densità tal-Mikropipe:<1 cm⁻²
Ħruxija tal-wiċċ: Ra Inqas minn jew ugwali għal 0.2nm (EPI-lest) Il-wejfers tagħna tat-tip N ta '150mm (4 grad off-axis) jippermettu produzzjoni ta' 3.3kV SiC MOSFET b'rati ta 'rendiment ta' 99.7%, kritiċi għall-infrastruttura tal-iċċarġjar tal-EV.
Applikazzjonijiet Immodifikati
SiC drogat: Aluminju (5x10¹⁸ atomi/cm³) għal kuntatti Ohmic
Substrati epitassjali SiC: ħxuna ta '10-100μm b'varjazzjoni ta' ħxuna Inqas minn jew ugwali għal 5%
Quantum-grade SiC: NV center density >500/mm³ għal sensing quantum
Parametri tal-karbur tas-silikon
|
Trademark |
ZhenAn |
|
Prodott |
Karbur tas-silikonju |
|
Purità |
88% 90% 98% |
|
Forma |
Naqal u Trab |
|
Kodiċi SA |
284920 |
Tmexxija ta' Kwalità
Li joperaw kmamar nodfa tal-Klassi 100 (ISO 14644-1), nimplimentaw kontrolli tal-proċess VDA 6.3 u konformità SEMI S2/S8. Sħubija ma 'Fraunhofer Institute, żviluppajna teknoloġija proprjetarja tal-mapping tad-difetti li kisbu livelli ta' kontaminazzjoni metallika ta '0.02ppb. Il-kits tal-konsenja tal-wejfers tagħna għandhom kasetts issiġillati bin-nitroġenu b'intraċċar tal-umdità f'ħin reali.
It-tags Popolari: karbur tas-silikon għal materjal li joborxu refrattorju, iċ-Ċina karbur tas-silikon għal materjal li joborxu refrattorju manifatturi, fornituri, fabbrika