Vantaġġi elettriċi fuq is-silikon
Ir-reżistenza aktar baxxa (Rₒₙ), tnaqqas it-telf tal-konduzzjoni.
Veloċità ogħla ta 'saturazzjoni ta' elettroni, li tippermetti veloċitajiet ta 'swiċċjar aktar mgħaġġla (ċavetta għal apparati RF u ta' enerġija).
Dissipazzjoni aktar baxxa tal-enerġija, titjib tal-effiċjenza tal-enerġija fl-EVs, sistemi tal-enerġija rinnovabbli, u infrastruttura 5G.
Proprjetajiet Ottiċi
Xi politipi SiC (eż., 6H-SiC) huma semi-trasparenti fl-ispettri UV-viżibbli, utli għal applikazzjonijiet optoelettroniċi.
Inertness Kimika u Reżistenza għall-Korrużjoni
Reżistenti ħafna għall-ossidazzjoni, aċidi, u alkali.
Jwettaq b'mod affidabbli f'atmosferi korrużivi jew b'temperatura għolja (eż., fran industrijali, reatturi kimiċi).
bidliet tal-karbur tas-silikon
Spiża għolja tal-produzzjoniminħabba tkabbir kumpless tal-kristall (eż., metodu PVT).
Sensittività tad-difett(mikropipes, dislokazzjonijiet) li jaffettwaw il-kwalità tal-wejfer.
Daqsijiet limitati tal-wejfer(6–8 pulzieri vs. 12-il pulzier ta' Si), għalkemm il-progress għadu għaddej.
Konklużjoni
Il-kombinazzjoni mingħajr paragun tas-SiC ta 'robustezza mekkanika, stabbiltà termali u prestazzjoni elettrika superjuri tagħmilha materjal trasformattiv għall-elettronika tal-enerġija tal-ġenerazzjoni li jmiss, vetturi elettriċi u applikazzjonijiet għall-ambjent ħarxa. Hekk kif it-tekniki tal-manifattura javvanzaw, is-SiC huwa mistenni li jissostitwixxi s-silikon f'setturi ta 'prestazzjoni għolja.
It-tags Popolari: karatteristika tal-karbur tas-silikon, karatteristika taċ-Ċina tal-manifatturi tal-karbur tas-silikon, fornituri, fabbrika