Ebusija Eċċezzjonali & Qawwa Mekkanika
Ebusija Mohs ta '~9.5, it-tieni biss għad-djamanti u n-nitrur tal-boron.
Għolireżistenza għall-ilbies, li jagħmilha ideali għal applikazzjonijiet li joborxu (eż., roti tat-tħin, għodod tal-qtugħ).
Iżomm l-istabbiltà mekkanika anke taħt stress estrem.
Wide Bandgap Semikondutturi Proprjetajiet
Bandgap ta' 3.26 eV (4H-SiC), akbar b'mod sinifikanti mis-silikon (1.12 eV).
Jippermetti l-operazzjoni fivultaġġi, temperaturi u frekwenzi ogħla.
Inaqqas it-telf tal-enerġija fl-elettronika tal-enerġija.
Għoliqawwa kritika tal-kamp elettriku(10x dak tas-silikon), li jippermetti disinji ta 'apparat irqaq u aktar effiċjenti.
Proprjetajiet Termali Pendenti
Konduttività termali għolja (~ 490 W/m·K għal 4H-SiC f'temperatura tal-kamra), jaqbeż ħafna metalli u semikondutturi.
Eċċellentidissipazzjoni tas-sħana, kruċjali għall-elettronika tal-enerġija u apparati ta 'frekwenza għolja.
Stabbiltà termali sa 1,600 grad(punt tat-tidwib ~ 2,700 grad), adattat għal ambjenti estremi (eż., aerospazjali, reatturi nukleari).
Vantaġġi Ewlenin vs Materjali Tradizzjonali
| Proprjetà | Karbur tas-Silikon (SiC) | Silikon (Si) | Nitrur tal-Gallju (GaN) |
|---|---|---|---|
| Bandgap (eV) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Konduttività Termali | Għoli (~490 W/m·K) | Baxxa (~150 W/m·K) | Moderat (~253 W/m·K) |
| Temp operattiv massimu. | ~ 600 grad + | ~ 150 grad | ~ 300 grad |
| Qawwa tal-Qasam Elettriku | 10x Si | Linja bażi | ~ 3x Si |
It-tags Popolari: karatteristiċi ewlenin tal-karbur tas-silikon sic, iċ-Ċina karatteristiċi ewlenin tal-manifatturi tal-karbur tas-silikon sic, fornituri, fabbrika