Deskrizzjoni tal-Prodotti
Mikrostrutturi tal-mużajk tas-silikon parzjalment kristallizzati misjuba fiNitride tas-silikonFilms ippreparati minn LPCVD. Skont il-kundizzjonijiet u l-proċess tat-tkabbir, l-iskala tal-istruttura tvarja minn għexieren sa mijiet ta 'nanometri. Ibbażat fuq ir-riżultati tat-test tal-istress u r-riżultati tal-osservazzjoni tal-mikroskopija elettronika tat-trasmissjoni tal-films SINX imkabbra taħt kundizzjonijiet differenti, il-ġenesi tal-mikrostruttura tal-films SINX b'ħafna silikon u l-interazzjoni tagħhom mal-istress fil-film ġew analizzati, u l-proċess ta 'tkabbir LPCVD tal-films sinx-silikon kien ottimizzat, li naqqas bil-kbir l-istress tat-tensil tal-film, u l-film mhux supportat 40mm × 40mm. Ibbażat fuq ir-riżultati ta 'dan l-istudju, it-tkabbir ikkontrollat tal-membrani SINX bi stress tensili determinat ġie realizzat minn LPCVD.
Parametri tal-Prodotti
| Grad | N | Si | Ca min | O min | C min | Al Min | Fe min |
| Si3n 485-99 | 32-39 | 55-60 | 0.25 | 1.5 | 0.3 | 0.25 | 0.25 |
Stampa ta 'Kooperazzjoni ta' Prodotti

1.Nitride tas-silikonFilm irqiq (sin _ x) ġew ippreparati permezz ta ’teknoloġija ta’ deposizzjoni ta ’fwar kimiku bi pressjoni baxxa (LPCVD) bl-użu ta’ silane u ammonja bħala sorsi tas-silikon u tan-nitroġenu, rispettivament, u nitroġenu ta ’purità għolja bħala gass tal-ġarr. Il-kinetika tat-tkabbir tad-dnub _ x Films ġew studjati permezz ta 'elipsometrija, il-proprjetajiet tad-dnub _ x Films kienu kkaratterizzati minn spettroskopija infra-aħmar ta' Fourier u spettroskopija ta 'fotoelettroni X, u l-morfoloġija mikroskopika tad-dnub _ X. Taħt l-istess kundizzjonijiet ta 'proċessi oħra, ir-rata ta' tkabbir tad-dnub _ x Film tiżdied b'mod monotoniku maż-żieda tal-pressjoni tax-xogħol, u l-proporzjon (r) tar-rata tal-fluss ta 'l-ammonja lejn is-silane fil-gass tal-għalf għandu effett oppost fuq ir-rata ta' tkabbir tal-film. Hekk kif it-temperatura tar-reazzjoni tiżdied, ir-rata ta 'deposizzjoni tiżdied gradwalment, u tilħaq massimu ta' madwar 840 grad u mbagħad tonqos malajr. Meta jintuża R2, huwa miksub Sin Sin _ x Irqiq (x1.33). Meta jintuża R4, huwa miksub Sin _ X film bi kważi-stoijometriku (z≈1.33).
It-tags Popolari: Prodott ta 'livell għoli Nitride tas-Silikon, Ċina Prodott ta' Livell Għoli Manifatturi tan-Nitride tas-Silikon, Fornituri, Fabbrika

